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【华芯高工】LRC:S-LN32N15D2​ 车规级MOSFET 为电车出行安全保驾护航

2025-02-15    阅读:463
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在新能源汽车高速发展的今天,车规级功率半导体器件的性能直接影响着整车系统的可靠性与效率。LRC推出的S-LN32N15D2/32N15车规级N沟道功率MOSFET,凭借其卓越的电气性能、高可靠性及广泛适用性,成为车载电源管理、电机驱动等领域的理想选择,助力车企实现更高效、更安全的智能电动化转型。


核心参数:精准匹配严苛车规需求

S-LN32N15D2/32N15专为车载高压环境设计,具备以下关键参数优势:

高耐压能力:漏源击穿电压(V(BR)DSS)达150V,可稳定应对汽车电气系统的高压波动,确保在复杂工况下的安全性。

低导通电阻:典型导通电阻(RDS(on))仅为25mΩ,显著降低导通损耗,提升系统效率,尤其适合大电流场景下的高频开关应用。

高电流承载:最大连续漏极电流(ID)高达32A,脉冲电流能力超32A,满足电机驱动、车载充电等高功率需求。

快速开关性能:开关时间低至纳秒级,结合低栅极电荷(Qg),有效减少开关损耗,提升高频电路响应速度。

优异热管理:结到环境热阻(RθJA)低至2°C/W,搭配TO-252-2L封装,散热性能卓越,支持-55°C至150°C宽温域稳定运行。


功能特性:以可靠性赋能智能驾驶

S-LN32N15D2/32N15严格遵循车规级AEC-Q101认证标准,并通过ISO 26262功能安全流程认证,为汽车电子系统提供多重保障:

抗振动与耐久性:采用高可靠性封装工艺,通过机械振动、温度循环等严苛测试,适应汽车复杂环境下的长期稳定工作。

集成保护功能:内置雪崩能量耐受能力,配合过温、过流保护设计,有效预防系统异常导致的器件损坏。

低EMI设计:优化栅极驱动特性,减少高频噪声干扰,符合车载电子电磁兼容性(EMC)要求。


应用场景:覆盖电动化核心系统

S-LN32N15D2/32N15凭借其高性能与高可靠性,广泛应用于新能源汽车关键领域:

电机驱动系统:作为逆变器核心开关元件,驱动永磁同步电机或直流电机,提升能效与响应速度。

车载充电(OBC)与DC-DC转换:用于高压-低压电能转换模块,支持快充与高效能源分配。

智能驾驶与ADAS:为摄像头、雷达等传感器供电,确保电源稳定性和瞬态响应,保障ADAS系统精准运行。

车身控制与配电系统:驱动车窗、座椅调节等执行机构,或用于智能配电单元(如eFuse),实现精准电流控制与故障保护。


品牌优势:LRC的技术积淀与行业深耕

作为功率半导体领域的创新者,LRC依托十余年车规级芯片研发经验,构建了从设计、测试到量产的全流程车规品控体系。S-LN32N15D2/32N15的推出,不仅延续了LRC在低功耗、高集成度技术上的优势,更通过与全球主流车企及Tier 1供应商的深度合作,持续优化产品性能与成本,加速车规芯片国产化进程。



结语
LRC:S-LN32N15D2/32N15以“高效、可靠、智能”为核心,为新能源汽车的电动化与智能化升级提供底层硬件支持。未来,LRC将持续深耕车规功率器件领域,推动更高效、更安全的出行解决方案落地,引行业迈向绿色智能新纪元。


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